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二極管浪涌電流測(cè)試儀
華科智源的二極管浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪...

型號(hào)： HUSTEC-IF... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/12/2 7:31:40 對(duì)比

二極管浪涌電流測(cè)試儀浪涌電流測(cè)試儀SIC器件浪涌電流測(cè)試儀IGBT浪涌電流測(cè)試儀MOS浪涌電流測(cè)試儀
雪崩能量測(cè)試儀
ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查...

型號(hào)： ITC55100 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/12/2 7:29:36 對(duì)比

雪崩能量測(cè)試儀ITC55100ITC55100雪崩能量測(cè)試儀雪崩能量分析儀雪崩能量測(cè)試
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過(guò)特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開(kāi)通，并測(cè)量過(guò)程中各種動(dòng)態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異，是評(píng)...

型號(hào)： PT-1224 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/12/2 7:27:51 對(duì)比

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)FRD功率半導(dǎo)體測(cè)試儀IGBT雙脈沖測(cè)試儀肖特基二極管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀PT-1224
MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
ITC57300 MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，可以滿...

型號(hào)： ITC57300 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/12/2 7:25:43 對(duì)比

MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀ITC57300IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀三極管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特...

型號(hào)： HUSTEC-12... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/12/2 7:23:20 對(duì)比

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀華科智源GBT電參數(shù)測(cè)試儀